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GT30J324(Q) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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数据列表:GT30J324

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:管件

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,30A

功率 - 最大值:170W

开关能量:1mJ(开),800µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:-

25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300ns

测试条件:300V,30A,24 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):60ns

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P(N)

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