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GP2M010A065H /
GP2M010A065H的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):36nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1670pF @ 25V

功率耗散(最大值):198W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):820 毫欧 @ 4.75A, 10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商GP2M010A065H
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