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GP2M007A080F /Global Power Technologies Group/分立半导体产品
GP2M007A080F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 欧姆 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1410pF @ 25V

功率 - 最大值:50W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220F

其它名称:1560-1203-21560-1203-2-ND

供应商GP2M007A080F
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