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GP2M004A065PG /Global Power Technologies Group/分立半导体产品
GP2M004A065PG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品相片:I-Pak

标准包装:7,200

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):642pF @ 25V

功率 - 最大值:98.4W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

供应商器件封装:I-Pak

其它名称:1560-1196-21560-1196-2-ND

供应商GP2M004A065PG
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