包装管件
系列QFET®
零件状态停產
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）480 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）56nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2055pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）195W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
封装/外壳TO-220-3