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FQP10N60C /
FQP10N60C的规格信息
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FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):57nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2040pF @ 25V

功率耗散(最大值):156W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):730 毫欧 @ 4.75A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220-3

封装/外壳:TO-220-3

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商FQP10N60C
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深圳市芯幂科技有限公司FQP10N60C深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FQP10N60C600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO835.79 Kbytes共10页FQP10N60C的PDF下载地址STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCH47N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B
FQP10N60C600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1020.71 Kbytes共10页FQP10N60C的PDF下载地址FQB8N60CF,STP25NM60N_07,FCH47N60_07,FCD7N60,FQPF8N60CF,STB10NK60Z,FQP10N60CF,STP7NB60_07,STP5NK60Z_02,TSM1N60L_07
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FQP10N60C_07600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1020.71 Kbytes共10页FQP10N60C_07的PDF下载地址FQB8N60CF,STP25NM60N_07,FCH47N60_07,FCD7N60,FQPF8N60CF,STB10NK60Z,FQP10N60CF,STP7NB60_07,STP5NK60Z_02,TSM1N60L_07
FQP10N60CF600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO934.68 Kbytes共10页FQP10N60CF的PDF下载地址FCP4N60,FQB8N60CF,FCD7N60,FQPF8N60CF,STB10NK60Z,STW45NM60,STB11NM60FD,STW26NM60,FCP16N60,UK2996
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FQP10N60CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series价格未公开
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FQP10N60CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series价格未公开
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FQP10N60CON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3Obsolete
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FQP10N60CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3$1.09000
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FQP10N60CFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series价格未公开