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FQP12N60C /MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
FQP12N60C的规格信息
FQP12N60C的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:650 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FQP12N60C

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:90 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:85 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:155 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:1.800 g

供应商FQP12N60C
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现代芯城(深圳)科技有限公司FQP12N60Cwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司FQP12N60C深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城FQP12N60C深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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芯莱德电子(香港)有限公司FQP12N60C深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司FQP12N60C深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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集好芯城FQP12N60C深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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13418830030,13418730030
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FQP12N60CON(安森美)预售新品1+:¥19.52
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