| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Am2 | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
10+:￥3.12
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100+:￥2.34
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ChipOneStop | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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Digi-Key 得捷电子 | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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element14 e络盟电子 | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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Future(富昌) | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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RS(欧时) | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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Verical | FQN1N60CTA | Fairchild Semiconductor | FET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V NCH MOSFET | 1+:￥3.72
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立创商城 | FQN1N60CTA | ON(安森美) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 150mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W,3W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.5664
10+:￥1.184
30+:￥1.1138
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1000+:￥0.9969
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