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FQD1N80TM /MOSFET Power MOSFET
FQD1N80TM的规格信息
FQD1N80TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:1 A

Rds On-漏源导通电阻:20 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FQD1N80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:0.75 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:FQD1N80TM_NL

单位重量:260 mg

供应商FQD1N80TM
FQD1N80TM的供应商,可免费索样
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深圳市橙椒科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030，13418730030
13418830030，13418730030		钟小姐，王先生Email:283906751@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司FQD1N80TM华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FQD1N80TM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQD1N80TM航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
13310061703		傅小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市凯睿晟科技有限公司FQD1N80TM世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQD1N80TM深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市仓实科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市维基鸿电子有限公司FQD1N80TM赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
13590238352，13058174971, 18123793983, 13148740189, 13632918917		文小姐，米小姐，朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQD1N80TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FQD1N80TM广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市大源实业科技有限公司FQD1N80TM深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
FQD1N80TM及相关型号的PDF资料
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FQD1N80TMMOSFET Power MOSFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO1.42 Mbytes共12页FQD1N80TM的PDF下载地址无
FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO1.42 Mbytes共11页FQD1N80TM的PDF下载地址无
FQD1N80TM连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：20Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO1.42 Mbytes共11页FQD1N80TM的PDF下载地址无
FQD1N80TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
5000+:￥1.8599
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2500+:￥3.472500+:￥1.292500+:￥1.8925+:￥2.92
100+:￥2.77
250+:￥2.61
500+:￥2.50011+:￥2.03
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
5000+:￥1.8599
12500+:￥1.8
25000+:￥1.73
62500+:￥1.7
125000+:￥1.661+:￥4.41
10+:￥3.41
100+:￥2.2
1000+:￥2.05
2500+:￥1.88
10000+:￥1.8599
25000+:￥1.79
50000+:￥1.76
100000+:￥1.731+:￥8.6701
25+:￥6.74
50+:￥6.74
250+:￥5.1
1000+:￥3.47
2500+:￥3.472500+:￥1.29
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
5000+:￥1.8599
12500+:￥1.8
25000+:￥1.73
62500+:￥1.7
125000+:￥1.66
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
5000+:￥1.8599
12500+:￥1.8
25000+:￥1.73
62500+:￥1.7
125000+:￥1.661+:￥4.41
10+:￥3.41
100+:￥2.2
1000+:￥2.05
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
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50000+:￥1.76
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQD1N80TMON Semiconductor / FairchildMOSFET Power MOSFET1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.7233
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
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100+:￥2.77
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25+:￥2.3499
50+:￥2.3301
100+:￥2.31
300+:￥2.26
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1000+:￥2.22
5000+:￥2.21
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
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100+:￥2.2
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQD1N80TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Power MOSFET2500+:￥2
5000+:￥1.8599
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2500+:￥3.472500+:￥1.292500+:￥1.8925+:￥2.92
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FQD1N80TMON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：20Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.46
10+:￥1.81
30+:￥1.69
100+:￥1.57
500+:￥1.52
1000+:￥1.5
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