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FQD13N10TM /MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
FQD13N10TM的规格信息
FQD13N10TM的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FQD13N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:6.3 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:FQD13N10TM_NL

单位重量:260.370 mg

供应商FQD13N10TM
FQD13N10TM的供应商,可免费索样
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深圳市威雅利发展有限公司FQD13N10TM华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FQD13N10TMwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司FQD13N10TM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城FQD13N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市振钰科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930		廖先生Email:2885411644@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQD13N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FQD13N10TM深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司FQD13N10TM航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FQD13N10TM广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237		谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司FQD13N10TM上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城FQD13N10TM深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司FQD13N10TM龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FQD13N10TM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
上海三崧电子有限公司FQD13N10TM上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司FQD13N10TM深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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FQD13N10TM及相关型号的PDF资料
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FQD13N10TMMOSFET 100V N-Ch QFET Logic LevelON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO985.62 Kbytes共11页FQD13N10TM的PDF下载地址无
FQD13N10TMMOSFET N-CH 100V 10A DPAKON SemiconductorON Semiconductor的LOGO989.20 Kbytes共10页FQD13N10TM的PDF下载地址无
FQD13N10TM连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO984.16 Kbytes共10页FQD13N10TM的PDF下载地址无
FQD13N10TM的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
5000+:￥1.8599
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FQD13N10TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
2,500:¥2.0792
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		FQD13N10TMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level2500+:￥2
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		FQD13N10TMON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.63
10+:￥2
30+:￥1.88
100+:￥1.77
500+:￥1.72
1000+:￥1.69
FQD13N10TM的相关型号
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