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FQD17N08LTM /MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level
FQD17N08LTM的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:12.9 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

系列:FQD17N08L

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:11.7 S

下降时间:75 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:290 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:260.370 mg

供应商FQD17N08LTM
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现代芯城(深圳)科技有限公司FQD17N08LTM深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FQD17N08LTM深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FQD17N08LTM深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市安富世纪电子有限公司FQD17N08LTM深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳德泰威尔科技有限公司FQD17N08LTM上步工业区405栋30815766460736
15766460736
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芯莱德电子(香港)有限公司FQD17N08LTM深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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13352985419
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FQD17N08LTMN-Channel QFET® MOSFET 80 V, 12.9 A, 100 mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO1214.85 Kbytes共8页FQD17N08LTM的PDF下载地址
FQD17N08LTM的全球分销商及价格
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FQD17N08LTMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level1+:¥7.5001
10+:¥6.62
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FQD17N08LTMON SemiconductorMOSFET N-CH 80V 12.9A TO252$0.35578
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FQD17N08LTMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 12.9A TO252$0.28000
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25000+:¥2.6701
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FQD17N08LTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level1:¥7.6049
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500:¥4.3731
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FQD17N08LTMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level1+:¥7.5001
10+:¥6.62
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100+:¥2.87
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Verical
FQD17N08LTMFairchild SemiconductorFET - 单 QFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level1+:¥7.5001
10+:¥6.62
25+:¥5.98
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