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FGA30T65SHD /IGBT 晶体管 FS3TIGBT TO3PN 30A 650V
FGA30T65SHD的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3PN

安装风格:Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.14 V

栅极/发射极最大电压:30 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:238 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:FGA30T65SHD

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:ON Semiconductor / Fairchild

栅极—射极漏泄电流:400 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

单位重量:6.401 g

供应商FGA30T65SHD
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