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FGA15S125P /IGBT 晶体管 FORECAST FG
FGA15S125P的规格信息
FGA15S125P的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3PN-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1250 V

集电极—射极饱和电压:2.72 V

栅极/发射极最大电压:25 V

在25 C的连续集电极电流:30 A

Pd-功率耗散:136 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:FGA15S125P

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:15 A

商标:ON Semiconductor / Fairchild

栅极—射极漏泄电流:500 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

单位重量:6.401 g

供应商FGA15S125P
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13352985419,19076157484
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FGA15S125P1250 V, 15 A Shorted-anode IGBT FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO278.18 Kbytes共8页FGA15S125P的PDF下载地址
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FGA15S125PFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥22.18
10+:¥19.82
25+:¥17.84
100+:¥16.25
250+:¥14.66
500+:¥13.16
1000+:¥11.1
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25000+:¥10.281+:¥11.25
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Mouser 贸泽电子
FGA15S125PON Semiconductor / FairchildIGBT 晶体管 FORECAST FG1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
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Rochester
FGA15S125PFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥22.18
10+:¥19.82
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立创商城
FGA15S125PON(安森美)IGBT管1+:¥14.95
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