FGA25N120ANTDTU-F109
/IGBT 晶体管 Copak Discrete
FGA25N120ANTDTU-F109的规格信息
制造商:ON Semiconductor
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:是
技术:Si
封装 / 箱体:TO-3PN-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
栅极/发射极最大电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:FGA25N120ANTDTU
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:50 A
高度:18.9 mm
长度:15.8 mm
宽度:5 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:450
子类别:IGBTs
零件号别名:FGA25N120ANTDTU_F109
单位重量:6.401 g
FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
FGA25N120ANTDTU-F109 | 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT | ONSEMI[ON Semiconductor] | ![ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO](/PdfSupLogo/112ONSEMI.GIF) | 1388.61 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
FGA25N120ANTDTU-F109的相关型号