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FDZ2553N /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDZ2553N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.6A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 9.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1299pF @ 10V

功率 - 最大值:2.1W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:18-WFBGA

供应商器件封装:18-BGA(2.5x4)

供应商FDZ2553N
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FDZ2553NMonolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO199.24 Kbytes共6页FDZ2553N的PDF下载地址FDMC3300NZA,FDM2509NZ,FDZ2553NZ,FDMW2512NZ,FDM3300NZ,FDM2452NZ,FDW2516NZ,FDW2507N,FDW2515NZ,FDW2507NZ
FDZ2553NZMonolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO155.6 Kbytes共6页FDZ2553NZ的PDF下载地址FDM2452NZ,FDM2509NZ,FDMW2512NZ,FDZ2554PZ,FDM3300NZ,FDMC3300NZA,FDW2516NZ,FDW2507N,FDW2507NZ,FDW2515NZ
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FDZ2553NON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGAObsolete
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FDZ2553NFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品1+:¥3.3499
25+:¥3.3301
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FDZ2553NZON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGAObsolete
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FDZ2553NZFairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品1+:¥3.43
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5000+:¥3.2