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FDZ2552P / MOSFET 20V/12V NCh MOSFET Common Drain
FDZ2552P的规格信息
FDZ2552P的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

Id-连续漏极电流:5.5 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :12 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:BGA-18

封装:Reel

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Dual Common Drain

下降时间:24 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:9 ns

系列:FDZ2552P

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:12 ns

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FDZ2552PDual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO52.12 Kbytes共4页FDZ2552P的PDF下载地址FDS6875,FDC6327C,FDZ202P,FDZ2551N,FDS6576,FDW2504P,USB10H,FDW2506P,USB10P,FDS6815
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