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FDZ202P /
FDZ202P的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：884pF @ 10V

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 5.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：12-BGA（2x2.5）

封装/外壳：12-WFBGA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FDZ202P
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13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDZ202P深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FDZ202PP-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO35.45 Kbytes共4页FDZ202P的PDF下载地址FDZ2552P,FDS6576,USB10P,FDS6875,FDN336P,FDZ2554PZ,FDC6327C,FDZ201N,FDC638P,FDC640P
FDZ202PP-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO169.86 Kbytes共6页FDZ202P的PDF下载地址FDZ493P,FDC608PZ,FDZ201N_04,FDC638APZ,FDN336P_05,FDW2502P_03,FDS6375_01,FDC602P_01,FDS6576_06,FDC634P_01
FDZ202P_04P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO169.86 Kbytes共6页FDZ202P_04的PDF下载地址FDZ493P,FDC608PZ,FDZ201N_04,FDC638APZ,FDN336P_05,FDW2502P_03,FDS6375_01,FDC602P_01,FDS6576_06,FDC634P_01
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Digi-Key 得捷电子		FDZ202PON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGAObsolete
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Digi-Key 得捷电子		FDZ202PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA$0.27000
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Digi-Key 得捷电子		FDZ202PFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥1.63
25+:￥1.62
50+:￥1.6
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300+:￥1.56
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