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FDP8870 /MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
FDP8870的规格信息
FDP8870的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:156 A

Rds On-漏源导通电阻:4.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP8870

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:46 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:105 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:FDP8870_NL

单位重量:1.800 g

供应商FDP8870
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深圳市威雅利发展有限公司FDP8870华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市芯幂科技有限公司FDP8870深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司FDP8870www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司FDP8870华强广场C座18J0755-27381274
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FDP8870N-Channel PowerTrench® MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO468.28 Kbytes共10页FDP8870的PDF下载地址FDPF3860T,FDS8876_07,FDS8870_07,FDMS8680,FDG8850NZ,FDB024N06,FDP025N06,FDS8880_07,FDI8441,FDMA430NZ_0609
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FDP8870的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
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FDP8870_F085Fairchild Semiconductor Corporation30V,156A,4.1M OHM,NCH,POWER TRENCH MOSFET - Rail/Tube99 : $1.2339
499 : $1.1431
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FDP8870ON SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1$0.82887
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FDP8870-F085Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3$1.03000
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RS(欧时)
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FDP8870ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 35,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.66
10+:¥2.585