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FDP61N20 /MOSFET 200V N-Channel MOSFET
FDP61N20的规格信息
FDP61N20的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:61 A

Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:417 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP61N20

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:44.5 S

下降时间:170 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:215 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:125 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:1.800 g

供应商FDP61N20
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深圳市维基鸿电子有限公司FDP61N20赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司FDP61N20深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司FDP61N20航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市振钰科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
13926543930
廖先生Email:2885411644@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDP61N20深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDP61N20深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司FDP61N20深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDP61N20深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司FDP61N20广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FDP61N20龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市宸远科技有限公司FDP61N20深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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深圳市安富世纪电子有限公司FDP61N20深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDP61N20华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市拓亿芯电子有限公司FDP61N20深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市高捷半导体有限公司FDP61N20深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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FDP61N20200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO657.93 Kbytes共8页FDP61N20的PDF下载地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FDD2612,FQAF34N20
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FDP61N20的全球分销商及价格
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Avnet
FDP61N20Fairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel MOSFET1+:¥20.3
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ChipOneStop
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Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
FDP61N20ON SemiconductorMOSFET N-CH 200V 61A TO220-3$2.52000
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FDP61N20ON SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6Active
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element14 e络盟电子
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Future(富昌)
FDP61N20Fairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel MOSFET1+:¥20.3
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FDP61N20Fairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V N-Channel MOSFET1+:¥20.3
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500+:¥7.27
1000+:¥7.1999
5000+:¥7.17
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立创商城
FDP61N20ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):61A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:41mΩ @ 30.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):417W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.9
10+:¥8.04
30+:¥7.52
100+:¥6.99
500+:¥6.76
1000+:¥6.64