制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:58 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:75 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:17 ns

最小工作温度:- 65 C

上升时间:150 ns

系列:FDP6035

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:7.6 ns

单位重量:1.438 g