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FDP3672 /MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
FDP3672的规格信息
FDP3672的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:105 V

Id-连续漏极电流:41 A

Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:135 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP3672

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:48 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:FDP3672_NL

单位重量:1.800 g

供应商FDP3672
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FDP3672华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDP3672深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDP3672深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市高捷半导体有限公司FDP3672深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FDP3672深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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13418830030,13418730030
钟小姐,王先生Email:283906751@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司FDP3672深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDP3672深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市赛美科科技有限公司FDP3672广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FDP3672龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDP3672深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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FDP3672N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO237.32 Kbytes共10页FDP3672的PDF下载地址FDS5170N7,FDD13AN06A0,FDW2510NZ,FDB3682,FDD2572,FDN5630,FDS6064N3,FDS6672A,FDMW2512NZ,FDS8984
FDP3672isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO327.77 Kbytes共2页FDP3672的PDF下载地址
FDP3672的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
25+:¥10.28
100+:¥9.24
250+:¥8.22
500+:¥7.1999
1000+:¥5.96
2500+:¥5.54
5000+:¥5.341+:¥10.1
10+:¥8.17
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500+:¥6.55
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2000+:¥4.9825+:¥11.47
100+:¥9.65
250+:¥9.19
500+:¥8.041+:¥5.58
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
25+:¥10.28
100+:¥9.24
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2000+:¥4.98
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
FDP3672ON SemiconductorMOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220$2.25000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDP3672ON Semiconductor / FairchildMOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
25+:¥10.28
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5000+:¥5.11
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
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500+:¥8.04
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
FDP3672Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V1+:¥12.73
10+:¥11.51
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100+:¥9.65
250+:¥9.19
500+:¥8.041+:¥5.581+:¥5.61
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FDP3672ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):41A(Tc) 漏源电压(Vdss):105V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 41A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):135W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.42
10+:¥3.22
30+:¥2.995
100+:¥2.775
500+:¥2.675
1000+:¥2.63