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FDP22N50N /MOSFET UniFETII 500V 22A
FDP22N50N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:22 A

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:312.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:UniFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP22N50N

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:1.800 g

供应商FDP22N50N
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深圳市坤融电子有限公司FDP22N50N航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDP22N50N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FDP22N50N深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市斌腾达科技有限公司FDP22N50N深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市橙椒科技有限公司FDP22N50N深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座B座51113418830030,13418730030
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深圳市佳威星科技有限公司FDP22N50N深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市振钰科技有限公司FDP22N50N深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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FDP22N50NN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO563.24 Kbytes共8页FDP22N50N的PDF下载地址
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Verical
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立创商城
FDP22N50NON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:220mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):312.5W 类型:N沟道1+:¥20.41
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