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FDP2D3N10C /MOSFET PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
FDP2D3N10C的规格信息
FDP2D3N10C的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:222 A

Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:152 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:FDP2D3N10C

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:222 S

下降时间:32 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:74 ns

典型接通延迟时间:42 ns

单位重量:1.800 g

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