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FDP19N40 /MOSFET UniFET, 400V
FDP19N40的规格信息
FDP19N40的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:400 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:215 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:UniFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FDP19N40

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:49 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:82 ns

典型接通延迟时间:31 ns

单位重量:1.800 g

供应商FDP19N40
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芯莱德电子(香港)有限公司FDP19N40深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDP19N40深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDP19N40深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDP19N40深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
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13926529829,17318082080
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深圳市高捷半导体有限公司FDP19N40深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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18922805453,18929374037,18922803401
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深圳市赛美科科技有限公司FDP19N40广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FDP19N40龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDP19N40深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FDP19N40ON Semiconductor / FairchildMOSFET UniFET, 400V1:¥21.2892
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Verical
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