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FDMS3D5N08LC /MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6CL IP
FDMS3D5N08LC的规格信息
FDMS3D5N08LC的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PQFN-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:136 A

Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:82 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:300 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商FDMS3D5N08LC
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