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FDMS3660S_F121 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDMS3660S_F121的规格信息
FDMS3660S_F121的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

特色产品：Cloud Systems Computing

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：PowerTrench®

包装：剪切带（CT）

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A，30A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1765pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：Power56

其它名称：FDMS3660S_F121CT

供应商FDMS3660S_F121
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城FDMS3660S-F121深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城FDMS3660S-F121深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市高捷半导体有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市拓亿芯电子有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市芯泽盛世科技有限公司FDMS3660S-F121龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市维基鸿电子有限公司FDMS3660S-F121赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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深圳市华芯盛世科技有限公司FDMS3660S-F121深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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FDMS3660S-F121MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFNON SemiconductorON Semiconductor的LOGO702.37 Kbytes共16页FDMS3660S-F121的PDF下载地址无
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