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FDMS3672 /MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
FDMS3672的规格信息
FDMS3672的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-56-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:7.4 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:UltraFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:6 mm

系列:FDMS3672

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:23 ns

单位重量:210 mg

供应商FDMS3672
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深圳市星宇佳科技有限公司FDMS3672深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
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现代芯城(深圳)科技有限公司FDMS3672www.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城FDMS3672深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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深圳市高捷半导体有限公司FDMS3672深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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FDMS3672N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO252.09 Kbytes共7页FDMS3672的PDF下载地址FDMS2672,FDMS2734,FDFS6N548,STB80NF10,ZXMN10A08G,FDMC8554,FDMC8854,STD10NF10,PFB6000,FDMC8878
FDMS3672的全球分销商及价格
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FDMS3672Fairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET3000+:¥8.94
6000+:¥8.61
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Digi-Key 得捷电子
FDMS3672Fairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET3000+:¥8.94
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Future(富昌)
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDMS3672ON Semiconductor / FairchildMOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
3,000:¥7.1642
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
FDMS3672Fairchild SemiconductorFET - 单 UltraFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET3000+:¥8.94
6000+:¥8.61
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RS(欧时)
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立创商城
FDMS3672ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 7.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):78W 类型:N沟道1+:¥14.77
10+:¥14.38
30+:¥14.11
100+:¥13.84