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FDME905PT /MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDME905PT的规格信息
FDME905PT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UMLP-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:700 mW

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

系列:FDME905PT

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

单位重量:30 mg

供应商FDME905PT
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深圳市博浩通科技有限公司FDME905PT华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDME905PT深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FDME905PT的全球分销商及价格
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FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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2500+:¥2.25
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FDME905PTON SemiconductorMOSFET P-CH 12V 8A MICROFET$0.86000
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element14 e络盟电子
FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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Mouser 贸泽电子
FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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Mouser 贸泽电子
FDME905PTON Semiconductor / FairchildMOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1:¥5.9212
10:¥4.9607
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1,000:¥2.5538
5,000:¥2.1583
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester
FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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RS(欧时)
FDME905PTFairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET1+:¥6.26
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1000+:¥3.09
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立创商城
FDME905PTON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W 类型:P沟道1+:¥1.04027
10+:¥0.75558
30+:¥0.70336
100+:¥0.65107
500+:¥0.62783
1000+:¥0.61635