FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A（Ta），82A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5875pF @ 40V
功率 - 最大值：2.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerWDFN
供应商器件封装：Power56
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs