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FDME1034CZT /MOSFET 20V Complementary PowerTrench
FDME1034CZT的规格信息
FDME1034CZT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UMLP-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:3.4 A

Rds On-漏源导通电阻:66 mOhms, 142 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV, 600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:3 nC, 5.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Dual

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

系列:FDME1034CZT

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:9 S, 7 S

下降时间:1.7 ns, 16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:2 ns, 4.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns, 33 ns

典型接通延迟时间:4.5 ns, 4.7 ns

单位重量:25.200 mg

供应商FDME1034CZT
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDME1034CZT华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551
杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDME1034CZT深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司FDME1034CZT深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDME1034CZT深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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FDME1034CZTComplementary PowerTrench® MOSFET N-channel: 20 V, 3.8 A, 66 mΩ P-channel: -20 V, -2.6 A, 142 mΩ FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO276.21 Kbytes共11页FDME1034CZT的PDF下载地址
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Digi-Key 得捷电子
FDME1034CZTON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET$0.88000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
FDME1034CZTON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Complementary PowerTrench1:¥4.8364
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Rochester
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RS(欧时)
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