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FDMC7680 /MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench
FDMC7680的规格信息
FDMC7680的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:14.8 A

Rds On-漏源导通电阻:7.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMC7680

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power Trench MOSFET

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:68 S

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:165.330 mg

供应商FDMC7680
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深圳市博浩通科技有限公司FDMC7680华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳市河锋鑫科技有限公司FDMC7680华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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FDMC7680N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 14.8 A, 7.2 m FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO213.79 Kbytes共7页FDMC7680的PDF下载地址
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FDMC7680Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP$0.64000
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FDMC7680ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench1:¥11.526
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Rochester
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FDMC7680ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.2mΩ @ 14.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道1+:¥10.93
10+:¥10.64
30+:¥10.44
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