包装散装
系列PowerTrench®
零件状态停產
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）74nC @ 10V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7995pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）26W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳8-MLP（3.3x3.3）