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FDMC6688P /MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD
FDMC6688P的规格信息
FDMC6688P的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Power-33-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:56 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.8 mm

长度:3.3 mm

系列:FDMC6688P

宽度:3.3 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:80 S

下降时间:68 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:33 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:119 ns

典型接通延迟时间:19 ns

单位重量:26.800 mg

供应商FDMC6688P
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FDMC6688PON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN$1.50000
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FDMC6688PON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD1:¥8.2942
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