制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:12 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Tube

高度:7.88 mm

长度:10.29 mm

系列:FDI150N10

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Power Trench MOSFET

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:156 S

下降时间:83 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:164 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:47 ns

单位重量:2.084 g