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FDI030N06 /MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
FDI030N06的规格信息
FDI030N06的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:193 A

Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:231 W

配置:Single

商标名:PowerTrench

封装:Tube

高度:7.88 mm

长度:10.29 mm

系列:FDI030N06

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:154 S

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:178 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:39 ns

单位重量:2.387 g

供应商FDI030N06
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深圳市佳威星科技有限公司FDI030N06深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
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FDI030N06N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.2mW FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO500.71 Kbytes共8页FDI030N06的PDF下载地址无
FDI030N06的全球分销商及价格
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Rochester		FDI030N06Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET NCH 60V 3.0Mohm1+:￥36.37
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Verical		FDI030N06Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET NCH 60V 3.0Mohm1+:￥36.37
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立创商城		FDI030N06ON(安森美)预售新品1+:￥42.04
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