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FDI045N10A-F102 /MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
FDI045N10A-F102的规格信息
FDI045N10A-F102的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:3.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:54 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:263 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:7.88 mm

长度:10.29 mm

系列:FDI045N10A

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:132 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns

典型接通延迟时间:23 ns

零件号别名:FDI045N10A_F102

单位重量:2.084 g

供应商FDI045N10A-F102
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Digi-Key 得捷电子		FDI045N10A-F102ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 120A I2PAK$4.37000
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Mouser 贸泽电子		FDI045N10A-F102ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm1:¥30.51
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立创商城		FDI045N10A-F102ON(安森美)预售晶体管1+:￥35.52
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