FDD8896_NBSW006
/MOSFET 30V35A5.7M0 DPAK NCHPWR TRNCH MOSFET
FDD8896_NBSW006的规格信息
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V
漏极连续电流：94 A
导通电阻：4.7 mOhms
配置：Single
最大工作温度：+ 175 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：DPAK
封装：Reel
商标：Fairchild Semiconductor
下降时间：41 ns
栅极电荷 Qg：46 nC
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：80 W
上升时间：106 ns
系列：FDD8896
工厂包装数量：2500
典型关闭延迟时间：53 ns
ROHS： 无铅
FDD8896_NBSW006
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
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FDD8896_NBSW006的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Arrow(艾睿) | FDD8896_NBSW006 | Fairchild Semiconductor | FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 | 1+:￥6.8401
10+:￥5.29
100+:￥4.21
500+:￥3.83
1000+:￥3.64
2500+:￥3.34
10000+:￥3.25
25000+:￥3.151+:￥3.5001 |
Mouser 贸泽电子 | FDD8896_NBSW006 | Fairchild Semiconductor | FET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 | 1+:￥6.8401
10+:￥5.29
100+:￥4.21
500+:￥3.83
1000+:￥3.64
2500+:￥3.34
10000+:￥3.25
25000+:￥3.15 |