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FDB4030L /N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB4030L的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流20 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.055 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-263AB

封装Rail

下降时间10 ns

最小工作温度- 65 C

功率耗散37.5 W

上升时间8 ns

典型关闭延迟时间20 ns

供应商FDB4030L
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FDB4030L华强广场C座18J0755-27381274
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