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FDB3502 /MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDB3502的规格信息
FDB3502的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB3502

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB3502
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FDB3502华强广场C座18J0755-27381274
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Arrow(艾睿)
FDB3502Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:¥3.74
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100+:¥3.87
500+:¥3.53
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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80000+:¥2.71+:¥6.26
10+:¥4.8599
100+:¥3.87
500+:¥3.53
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Mouser 贸泽电子
FDB3502ON Semiconductor / FairchildMOSFET 75V N-Channel PowerTrench1:¥8.9948
10:¥7.6388
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Rochester
FDB3502Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:¥3.74
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10+:¥4.8599
100+:¥3.87
500+:¥3.53
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2400+:¥3.06
9600+:¥2.98
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2400+:¥3.051+:¥3.221+:¥3.171+:¥2.94
25+:¥2.91
50+:¥2.89
100+:¥2.87
300+:¥2.81
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Verical
FDB3502Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 75V N-Channel PowerTrench800+:¥3.74
1600+:¥3.38
2400+:¥3.1601
5600+:¥2.9901
20000+:¥2.89
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80000+:¥2.71+:¥6.26
10+:¥4.8599
100+:¥3.87
500+:¥3.53
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