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FDB38N30U /MOSFET UF 300V 120MOHM U DPAK
FDB38N30U的规格信息
FDB38N30U的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:38 A

Rds On-漏源导通电阻:103 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:313 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:UniFET FRFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:FDB38N30U

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:62 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:80 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:133 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:1.312 g

供应商FDB38N30U
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深圳市坤融电子有限公司FDB38N30U航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FDB38N30U深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城FDB38N30U深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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集好芯城FDB38N30U深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司FDB38N30U深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市高捷芯城科技有限公司FDB38N30U深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辰芯伟业科技有限公司FDB38N30U华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市安富世纪电子有限公司FDB38N30U深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市高捷半导体有限公司FDB38N30U深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市佳威星科技有限公司FDB38N30U深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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FDB38N30UN-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO558.65 Kbytes共8页FDB38N30U的PDF下载地址
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FDB38N30UFairchild SemiconductorFET - 单 UniFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m1+:¥21.45
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Mouser 贸泽电子
FDB38N30UON Semiconductor / FairchildMOSFET UF 300V 120MOHM U DPAK1:¥21.5943
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Mouser 贸泽电子
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FDB38N30UON(安森美)预售新品1+:¥22.55
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