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FCP9N60N /MOSFET SupreMOS 9A
FCP9N60N的规格信息
FCP9N60N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:5.7 A

Rds On-漏源导通电阻:330 mOhms

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83.3 W

配置:Single

商标名:SupreMOS

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FCP9N60N

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:7.5 S

下降时间:10.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.7 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36.9 ns

典型接通延迟时间:12.7 ns

单位重量:1.800 g

供应商FCP9N60N
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深圳市百视威讯电子科技有限公司FCP9N60N华强广场C座18J0755-27381274
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董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司FCP9N60N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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FCP9N60NN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO911.95 Kbytes共10页FCP9N60N的PDF下载地址
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FCP9N60NON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 9A TO220-3$1.82644
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Digi-Key 得捷电子
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FCP9N60N-F102ON Semiconductor / FairchildMOSFET FCP9N60N, in TO220 F102 T/F option800:¥12.6786
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Rochester
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Verical
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