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FCP11N60F /MOSFET 600V NCH MOSFET
FCP11N60F的规格信息
FCP11N60F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperFET FRFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FCP11N60F

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel MOSFET

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:9.7 S

下降时间:56 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:98 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:119 ns

典型接通延迟时间:34 ns

单位重量:1.800 g

供应商FCP11N60F
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集好芯城FCP11N60F深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司FCP11N60F深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司FCP11N60F深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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FCP11N60F600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO836.71 Kbytes共10页FCP11N60F的PDF下载地址STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCP20N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B
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FCP11N60F的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
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Avnet
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Digi-Key 得捷电子
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FCP11N60FON(安森美)MOS(场效应管)1+:¥16.34
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