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FCP099N60E /MOSFET SuperFET2 600V Slow version
FCP099N60E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:37 A

Rds On-漏源导通电阻:87 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:114 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:357 W

通道模式:Enhancement

商标名:SuperFET II

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FCP099N60E

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:31.4 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:92 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:1.800 g

供应商FCP099N60E
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