制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, 30 V

Qg-栅极电荷:98 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:357 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperFET II FRFET

封装:Tube

高度:16.3 mm

长度:10.67 mm

系列:FCP110N65F

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:5.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:89 ns

典型接通延迟时间:31 ns

单位重量:1.800 g