DMT10H072LFDF-13
/MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K
DMT10H072LFDF-13的规格信息
制造商:Diodes Incorporated
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:U-DFN2020-6
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:5.1 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.8 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
商标:Diodes Incorporated
下降时间:3.2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:2.8 ns
工厂包装数量:10000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:9.5 ns
典型接通延迟时间:3 ns
单位重量:6.500 mg
DMT10H072LFDF-13
DMT10H072LFDF-13及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| DMT10H072LFDF-13 | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K | Diodes Incorporated |  | 414.35 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
DMT10H072LFDF-13的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Digi-Key 得捷电子 | DMT10H072LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN | $0.25800 |
Mouser 贸泽电子 | DMT10H072LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K | 1:¥4.9155
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
10,000:¥2.1244
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