制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:29.5 A

Rds On-漏源导通电阻:14.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:53.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMT10H010

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14.1 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42.9 ns

典型接通延迟时间:11.6 ns

单位重量:506.600 mg