FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.4A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：33.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1871pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs：否