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DMS3019SSD-13 /MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 12V
DMS3019SSD-13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:42 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.19 W

配置:Dual

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

系列:DMS30

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:5 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

单位重量:74 mg

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DMS3019SSD-13Diodes Inc.FET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch DIOFET VDSS 30V VGSS 12V2500+:¥1.58
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