系列：DMS

单位重量：37.400 mg

高度：0.78 mm

长度：3 mm

宽度：2 mm

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

安装风格：SMD/SMT

配置：Single Dual Drain

Vgs-栅极-源极电压：12 V

Pd-功率耗散：1.5 W

通道数量：1 Channel

Id-连续漏极电流：- 2.9 A

Vds-漏源极击穿电压：- 20 V

晶体管类型：1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：95 mOhms

通道模式：Enhancement

晶体管极性：P-Channel

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.9A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：632pF @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：95 毫欧 @ 2.8A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN裸露焊盘

封装形式Package：DFN

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：2.9A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs