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DMS3016SFG-13 /MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMS3016SFG-13的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

技术:Si

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:10.2 A

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:44.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.08 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:7.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35.4 ns

典型接通延迟时间:5.8 ns

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